1. Transistors bipolaires à jonction (BJT) :
(1) Structure :Les transistors bipolaires (BJT) sont des dispositifs semi-conducteurs à trois électrodes : la base, l’émetteur et le collecteur. Ils sont principalement utilisés pour amplifier ou commuter des signaux. Un faible courant d’entrée appliqué à la base permet de contrôler un courant plus important entre le collecteur et l’émetteur.
(2) Fonction dans le BMS : In BMSDans certaines applications, les transistors bipolaires sont utilisés pour leurs capacités d'amplification du courant. Ils contribuent à gérer et à réguler le flux de courant au sein du système, garantissant ainsi une charge et une décharge efficaces et sûres des batteries.
(3) Caractéristiques :Les transistors bipolaires (BJT) présentent un gain en courant élevé et sont très performants dans les applications exigeant un contrôle précis du courant. Ils sont généralement plus sensibles aux variations thermiques et peuvent engendrer une dissipation de puissance plus importante que les transistors MOSFET.
2. Transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) :
(1) Structure :Les transistors MOSFET sont des dispositifs semi-conducteurs à trois bornes : la grille, la source et le drain. Ils utilisent la tension pour contrôler le flux de courant entre la source et le drain, ce qui les rend très efficaces dans les applications de commutation.
(2) Fonction dansBMS:Dans les systèmes de gestion de batteries (BMS), les MOSFET sont souvent utilisés pour leur capacité de commutation rapide. Ils peuvent s'activer et se désactiver rapidement, contrôlant le flux de courant avec une résistance et des pertes de puissance minimales. Cela les rend idéaux pour protéger les batteries contre la surcharge, la décharge excessive et les courts-circuits.
(3) Caractéristiques :Les transistors MOSFET présentent une impédance d'entrée élevée et une faible résistance à l'état passant, ce qui leur confère un rendement élevé et une dissipation thermique réduite par rapport aux transistors bipolaires. Ils sont particulièrement adaptés aux applications de commutation à haute vitesse et à haut rendement au sein des systèmes de gestion technique du bâtiment (GTB).
Résumé:
- transistors bipolairessont mieux adaptées aux applications nécessitant un contrôle précis du courant en raison de leur gain de courant élevé.
- MOSFETssont privilégiées pour une commutation efficace et rapide avec une dissipation de chaleur réduite, ce qui les rend idéales pour la protection et la gestion du fonctionnement des batteries.BMS.
Date de publication : 13 juillet 2024
